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2009-06-04 10:59

MITSUBISHI三菱电机第五代智能功率模块L1系列IPM介绍

特征:

• 采用新的全栅型CSTBTTM 硅片具有低损耗,优化VCE(sat) 与Eoff的折衷
• 采用新设计的IC
• 硅片正中央的测温传感器(Tj sensor)
• 新的结线技术显著改善功率循环
• 与第5代L系列IPM封装兼容
• 新增Type-S小封装(50A/600V & 25A/1200V)

电路结构
7 单元: 3ΦInverter+Brake
6 单元: 3ΦInverter

功能
短路保护,控制电

 
2009-05-21 10:45

注:本文参考文章为浙江大学 陈 徐迎春

 
2009-05-21 10:13

注:本文参考文章为广东工业大学自动化学院 任远 程汉湘 刘艺相关文章

1.引言
电力系统中的大功率电力电子装置使用的开关元件主要是晶闸管和GTO。随着近年来电力电子器件的不断发展,IGBT 已逐渐取代晶闸管和GTO 成为应用的主流。它综合了GTR 和MOSFET 的优点,具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性能好、耐高压且承受大电流、驱动电路简单等优点。而IGBT—IPM(Intelligent Power Module)智能功

 
2009-05-21 09:36
三菱的CM400DY-34A三菱1700V/400A的HVIGBT广泛应用于6kV高压变频器产品

6kV系列高压变频器采用交-直-交方式,主电路开关元件为IGBT。变频器采用功率单元串联,叠波升压,充分利用常压变频器的成熟技术,因而具有很高的可靠性。

另外,同系列产品还有CM100DY-34A,CM150DY-34A,CM200DY-34A,CM300DY-34A,CM400DY-34A等

1.主电路拓扑结构图
6kV系列:由15个个功率单元构成,每5个功率单元串联成一相,三相Y接。

 
2009-05-21 09:35
三菱的CM150DY-34A三菱1700V/150A的HVIGBT广泛应用于6kV高压变频器产品

6kV系列高压变频器采用交-直-交方式,主电路开关元件为IGBT。变频器采用功率单元串联,叠波升压,充分利用常压变频器的成熟技术,因而具有很高的可靠性。

另外,同系列产品还有CM100DY-34A,CM150DY-34A,CM200DY-34A,CM300DY-34A,CM400DY-34A等

1.主电路拓扑结构图
6kV系列:由15个个功率单元构成,每5个功率单元串联成一相,三相Y接。

 
2009-05-21 09:34
三菱的CM100DY-34A三菱1700V/100A的HVIGBT广泛应用于6kV高压变频器产品

6kV系列高压变频器采用交-直-交方式,主电路开关元件为IGBT。变频器采用功率单元串联,叠波升压,充分利用常压变频器的成熟技术,因而具有很高的可靠性。

另外,同系列产品还有CM100DY-34A,CM150DY-34A,CM200DY-34A,CM300DY-34A,CM400DY-34A等

1.主电路拓扑结构图
6kV系列:由15个个功率单元构成,每5个功率单元串联成一相,三相Y接。

 
2009-05-21 09:10

三菱的CM400DY-66H三菱3300V/400A的HVIGBT广泛应用于10kV高压变频器产品

10kV系列高压变频器采用交-直-交方式,主电路开关元件为IGBT。变频器采用功率单元串联,叠波升压,充分利用常压变频器的成熟技术,因而具有很高的可靠性。

1.主电路拓扑结构图
6kV系列:由15个个功率单元构成,每5个功率单元串联成一相,三相Y接。
10kV系列:由15个功率模块组成,每5个功率模块串联成一相,三相Y接。

 
2009-05-21 09:09
CM300DY-34A三菱1700V/300A的HVIGBT应用于高压变频器
三菱的CM300DY-34A三菱1700V/300A的HVIGBT广泛应用于6kV高压变频器产品

6kV系列高压变频器采用交-直-交方式,主电路开关元件为IGBT。变频器采用功率单元串联,叠波升压,充分利用常压变频器的成熟技术,因而具有很高的可靠性。

 
2009-05-21 09:08
三菱的CM200DY-34A三菱1700V/200A的HVIGBT广泛应用于6kV高压变频器产品

6kV系列高压变频器采用交-直-交方式,主电路开关元件为IGBT。变频器采用功率单元串联,叠波升压,充分利用常压变频器的成熟技术,因而具有很高的可靠性。

另外,同系列产品还有CM100DY-34A,CM150DY-34A,CM400DY-34A等

1.主电路拓扑结构图
6kV系列:由15个个功率单元构成,每5个功率单元串联成一相,三相Y接。

 
2009-05-21 09:06

MOSFET 模块的优点

1. 装载新的Trench(沟槽)MOSFET 硅片

􀂄 与以往的功率MOSFET 相比,导通电阻大约降低了20%
􀂄 采用0.35µm 细微化技术。
􀂄 外延层的最优化伴随着元胞的狭窄化,提高了VDSS,降低了与VDSS 呈相反关系的导电电阻。
􀂄 MOS 沟道的浅化通过MOS 沟道的浅化降低了沟道电阻。

品种一览表
MOSFET 模块
FM200TU-07A FM200TU-2A FM200TU-3A
FM400TU-07A FM400TU-2A FM400TU-3A
FM600TU-

 
     
 
 
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