专业术语
术语 英文意义 中文解释
LCD Liquid Crystal Display 液晶显示
LCM Liquid Crystal Module 液晶模块
TN Twisted Nematic 扭曲向列。液晶分子的扭曲取向偏转90度
STN Super Twisted Nematic 超级扭曲向列。约180～270度扭曲向列
FSTN Formulated Super Twisted Nematic 格式化超级扭曲向列。一层光程补偿偏甲于STN，用于单色显示
TFT Thin Film Transistor 薄膜晶体管
Backlight - 背光
Inverter - 逆变器
OSD On Screen Display 在屏上显示
DVI Digital Visual Interface （VGA）数字接口
TMDS Transition Minimized Differential Singnaling
LVDS Low Voltage Differential Signaling 低压差分信号
Panelink -
IC Integrate Circuit 集成电路
TCP Tape Carrier Package 柔性线路板
COB Chip On Board 通过绑定将IC裸偏固定于印刷线路板上
COF Chip On FPC 将IC固定于柔性线路板上
COG Chip On Glass 将芯偏固定于玻璃上
Duty - 占空比，高出点亮的阀值电压的部分在一个周期中所占的比率
LED Light Emitting Diode 发光二极管
EL Elextro Luminescence 电致发光。EL层由高分子量薄片构成
CCFL(CCFT) Cold Cathode Fluorescent Light/Tude 冷阴极荧光灯
PDP Plasma Display Panel 等离子显示屏
CRT Cathode Radial Tude 阴极射线管
VGA Video Graphic Anay 视频图形陈列
PCB Printed Circuit Board 印刷电路板
Composite video - 复合视频
component video - 分量视频
S-video - S端子，与复合视频信号比，将对比和颜色分离传输
NTSC National Television Systems Committee NTSC制式。全国电视系统委员会制式
Phase Alrernating Line PAL制式（逐行倒相制式）
SEquential Couleur Avec Memoire SECAM制式（顺序与存储彩色电视系统）
半导体词汇3
A
1.Video On Demand 视频点播
2.DPI Dot Per Inch 点每英寸
3. A.M.U 原子质量数
4. ADI After develop inspection显影后检视
5. AEI 蚀科后检查
6. Alignment 排成一直线，对平
7. Alloy 融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值
8. ARC： anti-reflect coating 防反射层
9. ASHER: 一种干法刻蚀方式
10. ASI 光阻去除后检查
B
11. Backside 晶片背面
12. Backside Etch 背面蚀刻
13. Beam-Current 电子束电流
14. BPSG: 含有硼磷的硅玻璃
15. Break 中断，stepper机台内中途停止键
C
16. Cassette 装晶片的晶舟
17. CD：critical dimension 关键性尺寸
18. Chamber 反应室
19. Chart 图表
20. Child lot 子批
21. Chip (die) 晶粒
22. CMP 化学机械研磨
23. Coater 光阻覆盖（机台）
24. Coating 涂布，光阻覆盖
25. Contact Hole 接触窗
26. Control Wafer 控片
27. Critical layer 重要层
28. CVD 化学气相淀积
29. Cycle time 生产周期
D
30. Defect 缺陷
31. DEP: deposit 淀积
32. Descum 预处理
33. Developer 显影液；显影（机台）
34. Development 显影
35. DG: dual gate 双门
36. DI water 去离子水
37. Diffusion 扩散
38. Doping 掺杂
39. Dose 剂量
40. Downgrade 降级
41. DRC: design rule check 设计规则检查
42. Dry Clean 干洗
43. Due date 交期
44. Dummy wafer 挡片
E
45. E/R: etch rate 蚀刻速率
46. EE 设备工程师
47. End Point 蚀刻终点
48. ESD: electrostatic discharge/electrostatic damage 静电离子损伤
49. ET: etch 蚀刻
50. Exhaust 排气（将管路中的空气排除）
51. Exposure 曝光
F
52. FAB 工厂
53. FIB: focused ion beam 聚焦离子束
54. Field Oxide 场氧化层
55. Flatness 平坦度
56. Focus 焦距
57. Foundry 代工
58. FSG: 含有氟的硅玻璃
59. Furnace 炉管
G
60. GOI: gate oxide integrity 门氧化层完整性
H
61. H.M.D.S Hexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片，将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力的化合物，称H.M.D.S
62. HCI: hot carrier injection 热载流子注入
63. HDP：high density plasma 高密度等离子体
64. High-Voltage 高压
65. Hot bake 烘烤
I
66. ID 辨认，鉴定
67. Implant 植入
L
68. Layer 层次
69. LDD: lightly doped drain 轻掺杂漏
70. Local defocus 局部失焦因机台或晶片造成之脏污
71. LOCOS: local oxidation of silicon 局部氧化
72. Loop 巡路
73. Lot 批
M
74. Mask (reticle) 光罩
75. Merge 合并
76. Metal Via 金属接触窗
77. MFG 制造部
78. Mid-Current 中电流
79. Module 部门
N
80. NIT: Si3N4 氮化硅
81. Non-critical 非重要
82. NP: n-doped plus(N+) N型重掺杂
83. NW: n-doped well N阱
O
84. OD: oxide definition 定义氧化层
85. OM: optic microscope 光学显微镜
86. OOC 超出控制界线
87. OOS 超出规格界线
88. Over Etch 过蚀刻
89. Over flow 溢出
90. Overlay 测量前层与本层之间曝光的准确度
91. OX: SiO2 二氧化硅
P
92. P.R. Photo resisit 光阻
93. P1: poly 多晶硅
94. PA; passivation 钝化层
95. Parent lot 母批
96. Particle 含尘量/微尘粒子
97. PE: 1. process engineer; 2. plasma enhance 1、工艺工程师 2、等离子体增强
98. PH: photo 黄光或微影
99. Pilot 实验的
100. Plasma 电浆
101. Pod 装晶舟与晶片的盒子
102. Polymer 聚合物
103. POR Process of record
104. PP: p-doped plus(P+) P型重掺杂
105. PR: photo resist 光阻
106. PVD 物理气相淀积
107. PW: p-doped well P阱
Q
108. Queue time 等待时间
R
109. R/C: runcard 运作卡
110. Recipe 程式
111. Release 放行
112. Resistance 电阻
113. Reticle 光罩
114. RF 射频
115. RM: remove. 消除
116. Rotation 旋转
117. RTA: rapid thermal anneal 迅速热退火
118. RTP: rapid thermal process 迅速热处理
S
119. SA: salicide 硅化金属
120. SAB: salicide block 硅化金属阻止区
121. SAC: sacrifice layer 牺牲层
122. Scratch 刮伤
123. Selectivity 选择比
124. SEM：scanning electron microscope 扫描式电子显微镜
125. Slot 槽位
126. Source-Head 离子源
127. SPC 制程统计管制
128. Spin 旋转
129. Spin Dry 旋干
130. Sputter 溅射
131. SRO: Si rich oxide 富氧硅
132. Stocker 仓储
133. Stress 内应力
134. STRIP: 一种湿法刻蚀方式
T
135. TEOS – (CH3CH2O)4Si 四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常温下液态。作LPCVD /PECVD生长SiO2的原料。又指用TEOS生长得到的SiO2层。
136. Ti 钛
137. TiN 氮化钛
138. TM: top metal 顶层金属层
139. TOR Tool of record
U
140. Under Etch 蚀刻不足
141. USG: undoped 硅玻璃
W
142. W (Tungsten) 钨
143. WEE 周边曝光
其它
144. mainframe 主机
145. cassette 晶片盒
146. amplifier 放大器
147. enclosure 外壳
148. wrench 扳手
149. swagelok 接头锁紧螺母
150. clamp 夹子
151. actuator激励
152. STI shallow trench isolantion 浅沟道隔离层
153. SAB 硅铝块
154. UBM球下金属层镀模工艺
155. RDL金属连线重排工艺
156. RIE reactinv ion etch 反应离子etch
157. ICP inductive couple plasma 感应等离子体
158. TFT thin film transistor 薄模晶体管
159. ALD atomic layer deposition 原子层淀积
160. BGA ball grid array 高脚封装
161. AAS atomic absorptions spectroscopy 原子吸附光谱
162. AFM atomic force microscopy 原子力显微
163. ASIC 特定用途集成电路
164. ATE 自动检测设备
165. SIP self-ionized plasma 自电离电浆
166. IGBT 绝缘门双极晶体管
167. PMD premetal dielectric 电容
168. TCU temperature control unit 温度控制设备
169. arc chamber 起弧室
170. vaporizer 蒸发器
171. filament 灯丝
172. repeller 反射板
173. ELS extended life source 高寿命离子源
174. analyzer magnet 磁分析器
175. post accel 后加速器
176. quad rupole lens 磁聚焦透镜
177. disk/flag faraday 束流测量器
178. e-shower 中性化电子子发生器
179. extrantion electrode 高压吸极
180. disk 靶盘
181. rotary drive 旋转运动
182. liner drive 直线往复运动
183. gyro drive 两方向偏转
184. flat aligener 平边检测器
185. loadlock valve 靶盘腔装片阀
186. reservoir 水槽
187. string filter 过滤器
188. DI filter 离子交换器
189. chiller 制冷机
190. heat exchange 热交换机
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Basic Operation 基本工艺 Process 制程方法 Options 具体分类
Layering 增层 Oxidation 氧化 Atmospheric 常压氧化法
High Pressure 高压氧化法
Rapid Thermal Oxidation 快速热氧化
Chemical Vapor Deposition 化学汽相淀积 Atmospheric Pressure 常压化学汽相淀积
Low Pressure (LPCVD) 低压化学汽相淀积
Plasma Enhanced (PECVD)等离子增强化学汽相淀积
Vapor Phase Epitaxy (VPE) 汽相外延法
Metaloranic CVD (MOCVD) 金属有机物CVD
Moleculur Beam Epitaxy(MBE)分子束外延
Physical Vapor Deposition(PCD) 物理汽相淀积 Vacuum Evaporation 真空蒸发法
Sputtering 溅射法
Patterning 光刻 Resist 光刻胶 Positive 正胶工艺
Negative 负胶工艺
Exposure Systems 暴光系统 Contact 接触式暴光
Proximity 接近式暴光
Scanning Projection 投影式暴光
Stepper 步进暴光机
Exposure Sources 暴光源 High Pressure Mercury 高压汞
X-rays X射线
E-Beams 电子束暴光
Imaging Processes 成象工艺 Single Layer Resist 单层光刻胶
Multilayer Resist 多层光刻胶
Antireflecting Layers 防反射层
Off-Axis Illumination 偏轴照明
Planarization 平坦化
Contrast Enhancement 对比度提高
Etch 刻蚀 Wet Chemistry-Liqiud/vapor 湿化学刻蚀
Dry(Plasma) 干法刻蚀
Lift-Off 剥脱
Ion Millling 离子磨
Reaction Ion Etch(RIE) 反应离子刻蚀法
Doping 掺杂 Diffusion 扩散 Open Tube-Horizontal/Vertical (开放式炉管-水平/竖置)
Closed Tube 封闭炉管
Rapid Thermal Process(RTP) 快速热处理
Ion Implantation Medium/High Current 中/高电流离子注入
Low/High Voltage(energy) 低能量/高能量离子注入
Heating热处理 Thermal加热 Hot Plates 加热盘
Convection 热对流
RTP 快速加热
Radiation热辐射 Infrared (IR)红外线加热
