文章列表
 
您正在查看 "半导体工艺" 分类下的文章

2009-12-07 22:11
装了200首歌,MP3重量会增长吗?


一、     mp3相当于闪盘,是直接用半导体储存高电位和低电位信号来表现0和1的数据信息.

当操作体系要在mp3上写入文件时,首先在DIR区中写入文件信息(包含文件名、后缀名、文件大小和改动日期),然后在DATA区找到闲置空间将文件保留,并将DATA区中寄存文件的簇号写入DIR区,从而完成整个写入数据的工作。但是,wo以为在写入的进程中,会有一部分
 
2007-06-20 9:57
工程师使用的芯片、控挡片;必须放在何处?
答:放置在工程师芯片专用货架上
待run产品 ,必须放在何处?
答:放入STOCKER内或放置在机台旁之货架(推车上)
Fab通常如何定义产品的复杂度?
答:必须经过几道photo layer,有几层poly, 有几层metal越多层越复杂
假设一种产品的制程共有20次photo layer,103个stage 的产品,从投片到出货的周期时间(cycle time)为22天;试问此LOT 的平均T/R是多少?
答:103 stage/22天=4.7
假设一种产品的制程共有20次photo layer,103个stage 的产品,从投片到出货的周期
 
2007-06-20 9:56
Accounting
影响工厂成本的主要因素有哪些?
答:Direct Material 直接材料,例如:蕊片 Indirect Material间接材料,例如气体… Labor人力 Fixed Manufacturing机器折旧,维修,研究费用……等 Production Support其它相关单位所花费的费用
在FAB内,间接物料指哪些?
答:Gas 气体 Chemical 酸,碱化学液 PHOTO Chemical
 
2007-03-29 13:17
集成电路封装中的引线键合技术

黄玉财1 程秀兰1 蔡俊荣2
上海交通大学微电子学院
(1. 上海交通大学微电子学院,上海200030 2. 星科金朋(上海)有限公司 201702)

摘要: 在回顾现行的引线键合技术之后,本文主要探讨了集成电路封装中引线键合技术的发展趋势。球形焊接工艺比楔形焊接工艺具有更多的优势,因而获得了广泛使用。传统的前向拱丝越来越难以满足目前封装的高密度要求,反向拱丝能满足非常低的弧高的要求。前向拱丝和反向拱丝工艺相结合,能适应复杂的多排引线键合和多芯片封装结构的要求。不断
 
2007-03-29 13:16

原文地址:不详

电子封装是一个富于挑战、引人入胜的领域。它是集成电路芯片生产完成后不可缺少的
一道工序,是器件到系统的桥梁。封装这一生产环节对微电子产品的质量和竞争力都有
极大的影响。按目前国际上流行的看法认为,在微电子器件的总体成本中,设计占了三
分之一,芯片生产占了三分之一,而封装和测试也
 
2007-03-01 16:58

1、检测前要了解集成电路及其相关电路的工作原理 

  检查和修理集成电路前首先要熟悉所用集成电路的功能、内部电路、主要电气参数、各引脚的作用以及引脚的正常电压、波形与外围元件组成电路的工作原理。如果具备以上条件,那么分析和检查会容易许多。 

2、测试不要造成引脚间短路 

  电压测量或用示波器探头测试波形时,表笔或探头不要由于滑动而造成集成电路引脚间短路,最好在与引脚直接连通的外围印刷电路上进行测量。

 
2007-03-01 16:56

  来源:EDA资讯网  作者:方舟

国内主要独资封装企业:

 
2007-02-27 8:15
Poly电阻

Poly电阻是CMOS或者BICMOS中特有的电阻类型,轻搀杂Poly电阻方块电阻数在几百到几千之间,重搀杂电阻电阻数在25—50之间.一般是使用NSD或者PSD进行搀杂.而不用其他N或P型层次.
Poly电阻的大小不仅仅和搀杂浓度有关,还和晶格方向有关.在晶体表面,晶格方向比较杂乱一点,所以电阻也比晶格比较整齐的内部要大,如果Poly电阻比较细的时候,单位电阻较大.尤其对于轻搀杂的Poly电阻.
各种不同的Poly电阻温
 
2007-02-26 10:49

 

 

 

 
2007-02-08 0:56
68 FIELD/MOAT 场区

 FIELD直译的意思是〝场〞,足球场和武道场等的场都叫做FIELD。它的含意就是一个有专门用途的区域。在IC内部结构中,有一区域是隔离电场的地方,通常介于两个MOS晶体管之间,称为场区。场区之上大部分会长一层厚的氧化层。

 
  69 FILTRATION 过滤 用过滤器

(FILTER,为一半透膜折叠而成)将液体或气体中的杂质给过滤掉,此称为FILTRATION【过滤】因IC制造业对洁净式的要求是非常严格的

 
2007-02-08 0:56


    101 LATCH UP 栓锁效应 当VLSI线路密度增加,Latch-Up之故障模式于MOS VLSI中将愈来愈严重,且仅发生于 CMOS电路,所有COMS电路西寄生晶体管所引起的LATCH-UP问题称之为SCR (SILICON-CONYROLLED RECTIFIER)LATCH-UP,在S1基体内CMOS中形成两个双截子晶体管P-N-P-N形式的路径,有如一个垂直的P+-N-P与一个水平N+-P-N晶体管组合形成于CMOS反向器,如果电压降过大或受到外界电压、电流或光的触发时,将造成两个晶体管互相导过而短路,严重的话

 
2007-02-08 0:54

   
  1 Active Area 主动区(工作区)

 主动晶体管(ACTIVE TRANSISTOR)被制造的区域即所谓的主动区(ACTIVE AREA)。在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的,而由于利用到局部场氧化之步骤,所以ACTIVE AREA会受到鸟嘴(BIRD’S BEAK)之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小,以长0.6UM之场区氧化而言,大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK存在,也就是说ACTIVE

 
2007-01-22 11:30

专业术语 
术语 英文意义 中文解释 
LCD Liquid Crystal Display 液晶显示 
LCM Liquid Crystal Module 液晶模块 
TN Twisted Nematic 扭曲向列。液晶分子的扭曲取向偏转90度 
STN Super Twisted Nematic 超级扭曲向列。约180~270度扭曲向列 
FSTN Formulated Super Twisted Nematic 格式化超级扭曲向列。一层光程补偿偏甲于STN,用

 
2007-01-22 11:10

其它

Yield 良率 
Parameter参数 
PAC感光化合物 
ASIC特殊应用集成电路 
Solvent 溶剂 
Carbide碳 
Refractive折射 
Expansion膨胀 
Strip 湿式刻蚀法的一种 
TM: top mental 顶层金属层 
WEE 周边曝光 
PSG 硼硅玻璃 
MFG 制造部 
Runcard 运作卡 
POD 装晶舟和晶片的盒子 
Scratch 刮伤

 
2007-01-22 11:02
半导体词汇总结1
A
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 
2. acceptor: 受主,如B,掺入Si中需要接受电子 
3. ACCESS:一个EDA(Engineering Da
 
 
   
 
 
文章存档
 
     
 
最新文章评论
  

需求国内NOR FLASH TSOP 56PIN封装形式的厂家 13620988161
 

hao
 

专利代理人,亟需半导体方面的专业知识,谢谢
 

整理的好;学习了;
 

这都能算计出来
   
帮助中心 | 空间客服 | 投诉中心 | 空间协议
©2012 Baidu