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ESD 协会标准 ESD ADV1.0-2004 中和 (Neutralize) 通过重新组合正和负电荷,或传导任何一种电荷到地,或引入等值的相反电荷,来消除一个静电场。 名义电源电流 (Nominal Supply Current) 名义电源电流是在全部正规操作情形下可能的电源电流范围。 非接触方式,非插座放电 (Non-contact mode, non-socketed discharge) 由探头尖端接近器件插针引起的一个ESD现象,此器件没有放置在插座中。 核离子发生器 (Nuclear ionizer) 通常由α射线从气体分子剥夺电子,直到在气体中形成相等数量的正离子和负离子的一种离子生成设备。 残余电压 (Offset voltage) 从放置在离子化环境内的充电板监测器绝缘了的导电板上,观测到的电压。 电源插座 (Outlet) (1) 连接到电源而且为插头装备了插座的容器。 (2) 一个配线系统的连接点,给应用设备提供电源电流。 输出保护 (Output protection) 在对象的输出端,连接了构件、设备或网络,以防止静电放电的损害。 氧化层击穿 (Oxide punch-through) 氧化层的绝缘体击穿,如在一个半导体器件中。 无源离子发生器 (Passive ionizer) 一个装置,通常是一个锐利的接地尖针,接近放电表面,形成一条空气离子的传导通路。 残余电压峰值 (Peak offset voltage) 对于脉冲离子发生器,其每个极性的残余电压最大值,此值按离子发生器的周期在正和负离子输出之间循环。 周期验证 (Periodic verification) 测试完成后指出,从最初的数据到超出所选定的极限,空气离子发生器的性能没有改变。 人员接地装置 (Personnel grounding device) 静电放电保护装置,将人体上累积的任何静电电荷泄放到地。 注意:人员接地装置的对地阻抗必须足够高,以避免引起电气事故。 平面材料 (Planar material) 对象上所具有足够大和平坦的表面,能适合于电极的表面,以用来测量材料的电气性能。 点到点电阻 (Point-to-point resistance) 从放置在任何表面上的二个电极之间测定的欧姆电阻。 点到点电阻(服装)(Point-to-point resistance (Garments)) 在同一布块的表面上,或在一件衣服的二个不同布块上,从一点到另外一点测定的欧姆电阻。 肯定夹紧插座 (Positive Clamp Socket) 一个肯定夹紧的测试插座,具有一个零插入力 (ZIF) 插座和一个夹紧机构。 预处理 (Preconditioning) 变换一个设备的输入状态和应用适当的电信号,直至达到所需功能状态的程序。 插座 (Receptacle) 为了连接附件的插头,安装在输出端的一个接触装置。 电阻范围 (Resistance range) 用户指定的高端和低端电阻值,定义了用户可接受的腕带或腕带系统的电阻值。 对地电阻 (Resistance to ground) 放置在表面上的一个电极和地之间测量所得的欧姆电阻值。 对接地点的电阻 (Resistance to groundable point) 放置在表面上的一个电极和一个接地点之间测量所得的欧姆电阻值。 激振 (Ringing) 高频振荡叠加在波形上。 房间电离化 (Room ionization) 提供大面积空气离子的电离化系统。 辅助设备 (Service equipment) 必需的设备,通常由线路断路器或开关和保险丝以及它们的配件组成,位于一个建筑物或其他结构、或一个打算组成主要控制和切断电源的另外定义区域的电源线入口附近处。 短路组件 (Short Module) 除了1或14针外,使全部插针一起短路的一个14针塑料包装组件。 分流条 (Shunting bar) 将静电放电敏感产品的终端一起短路,形成一个等电位表面的短路装置。 袖子到袖子的电阻 (Sleeve-to-Sleeve Resistance) 从衣服的袖口到同一件衣服的另一个袖口测量所得的欧姆电阻值。 回转比率 (Slew Rate) 电压信号变化的最大比率。它表达了单位时间的电压单位。 插座装置模型 (Socketed Device Model) (SDM) 一个近似的放电现象模型,重现在测试系统中,包括IC、插座和测试模拟器的RLC附加元件的总电荷储存,通过测试系统的继电器矩阵,释放到另外较低静电电位的物体(地面)。 插座装置模型(SDM)测试仪 (Socketed Device Model (SDM) Tester) 在一个插座上模拟元件插座装置模型静电放电 (SDM ESD) 现象级别的设备。 接触放电 (Socketed Discharge) 一个可移动的孤立材料放置在当前的地板上,被接地的人员、设备、或其他接地的物体、或能控制静电荷产生和积聚的相关材料来消散静电荷。 火花,瞬间放电 (Spark) 一个非常短时间的放电,在常态下的二个导体之间的气体被击穿。 标准静电闭锁效应 (Standard Static Latch-up) 脉冲注入到信号插脚(注入测试)以及电源插脚为过电压。 静电控制(或静电放电控制)(Static control (or, electrostatic discharge control)) 1. 静电放电的防护措施。 2. 减少静电放电影响措施的总称。 静电控制地面 (Static control floor) 永久安装的地面材料,例如瓷砖、地毯、聚合物、环氧树脂、或片状地板,通过接通地面的人员、设备、或其他物体来消散静电荷,或控制与地面材料有关的静电荷的产生和积聚。 静电控制地面涂层 (Static control floor finish) 定期应用于普通地面表面的非永久涂层,通过接通地面的人员、设备、或其他物体来消散静电荷,或控制与地面材料有关的静电荷的产生和积聚。 静电控制地垫 (Static control floor mat) 一个可移动的岛状材料放置在当前的地板上,被接通此地面的人员、设备、或其他接地的物体来消散静电荷,或控制与地面材料有关的静电荷的产生和积聚。 静电控制地面材料 (Static control floor material) 永久安装的地面材料,例如瓷砖、地毯、聚合物、环氧树脂、或片状地板,通过接通地面的人员、设备、或其他物体来消散静电荷,或控制与地面材料有关的静电荷的产生和积聚。 静电控制鞋类(鞋类)(Static control footwear (footwear)) 人足的覆盖物,当它与静电控制地板或地面连接时,按照标准的定义,具有消散静电荷的特性。 静电控制鞋类(其他装备)(Static control footwear (other devices)) 装备(鞋子除外),如连接到人脚的足带、接地的鞋头、靴子、或其他电气连接器,当它与静电控制地板或地面涂层、或地垫连接时,使能控制静电荷的积聚。 静电控制鞋类(鞋)(Static control footwear (shoes)) 人足的覆盖物,当它与静电控制地板或地面涂层、或地垫连接时,具有控制静电荷积聚的特性。 静电控制服装 (Static control garments) 为控制静电荷而设计的人员服装。 静电控制座套 (Static control seating) 和静电控制地板或静电控制地垫一起使用的椅子,希望能控制静电荷的产生、积聚和消散而设计的座套。 静电衰减测试 (Static decay test) 一个项目在首先被充电到指定电压,然后泄放到指定电压期间,测量放电持续时间的过程。 静电耗散 (Static dissipative) 一个材料的特性,此材料具有至少1x105 欧姆/正方形的表面电阻率或1x104 欧姆-厘米的体积电阻率,但是小于1x1012 欧姆/正方形的表面电阻率或1x1011 欧姆-厘米的体积电阻率。 静电 (Static electricity) 见静电荷 (Electrostatic Charge)。 静态参数 (Static parameters) 静态参数是元件在非运转条件下测定的。可能包括但是不限于:输入漏电流、输入击穿电压、输出高和低电压、输出驱动电流和电源电流。 静态状态 (Static State) 设备的操作状态不发生变化。 静态状态–时钟控制 (Static State – Clocked) 时钟控制-静态状态允许一些时钟或其他的内部电路(如相位锁定回路(PLL))使操作没有外部影响,但是输入值、输入/输出和输出量通常是不变的。 步进压力老化测试 (Step stress test hardening) 一个工艺过程。由于一个元件在受到递增的静电放电电压时,比相似的另一个元件在受到单一电压时的较低级别,能够经受住更高的压力级别。例如,一个元件如果受到单一的压力,可能在一千伏失效,但如果压力起始于低电压,例如250伏,再逐步增加到更高的电压,失效在三千伏。 步进压力测试 (Step stress testing) 对样品逐渐增加压力级别,并按相等持续时间周期的测试。 疲劳减轻 (Strain relief) 为保护连接和导线免于早期失效的一个结构特征设计。 重点电平 (Stress Level) 在各种测试期间瞬时激励的标准量。 电源电流 (Supply Current) 流动的到电源插脚(组)的电流。 电源插脚(组)(Supply Pin (Set)) 在设备上的一个插脚或插脚组,仅是设备电源的一部分。 电源电压 (Supply Voltage) 呈现在电源插脚上的瞬时叠加信号。 电源电压来源 (Supply Voltage Source) 供应电源插脚的直流电源。 表面电阻 (Surface resistance) 接触材料同一面按规定配置的二个电极之间,流动电流与直流电压的比。其量度单位用欧姆表达。 表面电阻率 (Surface resistivity) 因为电流在整个表面流动,此比率是每单位长度直流压降与每单位宽度表面电流之比。实质上,表面电阻率是一个正方形的二个相对边之间的电阻, 并不依赖于正方形的大小或它的空间单位。表面电阻率用“欧姆/正方形”表达。 测试固定板 (Test Fixture Board) (TFB) 在此板上装有插座,此插座电气连结到空间分隔多路 (SDM) 测试器。 局部抗静电 (Topical antistat) 应用在材料表面的抗静电方法,为了产生表面静电耗散或减少摩擦起电。 瞬时脉冲宽度 (Transient Pulse Width) 短暂激励的持续时间。 瞬时脉冲幅度 (Transient Pulse Amplitude) 对短暂激励幅度测定的电压值(V)。 瞬时激励 (Transient Stimulus) 叠加在电源电压正常直流信号之上的一个短暂的交流信号。 摩擦带电 (Triboelectric charging) 当二种材料发生接触或相互摩擦然后分开的时候,就产生了静电电荷。(见摩擦静电序列 (Triboelectric series)) 摩擦静电序列 (Triboelectric series) 一个材料的排列序列。当一种材料从序列下面更远的另一种材料分离时,能带正电荷;或从序列上面更远的另一种材料分离时,能带负电荷。注意:序列主要用于指出摩擦之后可能产生的电荷极性。然而, 这序列是得自于对材料的特别准备和清洁,并在严格的控制条件下测试出来的。在一般的环境中,材料适当地靠近序列中另一个,预期能够产生彼此极性相反的电荷。这序列只是一个指导。 触发 (Trigger) 瞬时的激励,用于启动器件上的门闩电路。 触发电压 (Trigger voltage) 最小振幅的瞬时脉冲。 三态 (Tri-State) 在高阻抗状态的一个引线,它不符合逻辑低或高。 Vdd最大值 (Vdd max) 在器件数据表中列出的 Vdd 最大值,在此操作电压下,器件仍满足全部规格要求。 Vdd标称值 (Vdd nominal) 器件的典型电源电压。 矢量 (Vector) The digital pattern applied to a group of input pins at one time. 适用于一组输入插脚在同一时间的数字模式。 矢量文件 (Vector File) 一个程序或一个程序输入文件,包含了一连串许多矢量,用于确定在输入插脚达到功能状态要求时,所必需改变的时序。 垂直层流 (Vertical laminar flow) 一个垂直方向的非紊流气流。 输入逻辑高电压 (Vih) 使一个数字输入引线到逻辑高“1”的偏置电压。 输入逻辑低电压 (Vil) 使一个数字输入引线到逻辑低“0”的偏置电压。 电压抑制 (Voltage suppression) 按照公式V = Q/C,要使带电物体的电压 (V) 减少,用增加它的电容 (C) 比减少它的电荷 (Q) 要好。注:当一个带电的物体靠近地的时候,电压抑制典型地重现。 静电耗散材料的体积电阻 (Volume resistance of static dissipative materials) 在两个电极之间,或在下部用一个指定的结构,接触材料或物体的相对两侧,测试规定的直流电压与流过电流的比。静电耗散材料的体积电阻以欧姆表示。 体积电阻率 (Volume resistivity) 材料每单位厚度直流电压与通过的每单位面积电流量的比。体积电阻率设定为欧姆-厘米。 工作面接地点 (Worksurfaces groundable point) 工作面上的一个点,准备在工作面到适当的电气地之间,提供一个电气连接。 工作面电离(以前的桌面电离)(Worksurface ionization (formerly tabletop ionization)) 用以在工作站控制静电荷的离子化装置或系统。注:这个类型包括长工作台顶端离子发生器、工作面顶部离子发生器和层流罩离子发生器。 腕带 (Wrist strap) 一个组合器械,包括一个腕套和提供人体皮肤到地的电气连接接地软线。 腕带系统 (Wrist strap system) 当一条腕带被一个人适当地戴上时,其电气路径包括人、腕套和接地软线。 温塞奇-贝尔模型 (Wunsch-bell model) 半导体结的热失效模型,结的厚度假定可以忽略,并且由于散热限制了结温度的上升。 译者注:见 (D.C.Wunsch, R.R.Bell, Determination of Threshold Failure Levels of Semiconductor Diodes and Transistors due to Pulse., IEEE Trans. Nuc. Sci.,Vol. NS-17, Dec. 1970)。 嚓(通俗语)(Zap (colloquial term)) 见静电放电 (electrostatic discharge)。 |