2. 参数

MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同，只是增强型MOS管中不用夹断电压V_P，而用开启电压V_T表征管子的特性。

(a)	(b)	(c)
图XX_01

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅源极电压v_GS=0时，耗尽型MOS管中的漏源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在v_GS≥V_T时才出现导电沟道。原因是制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO₂绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na⁺或K⁺(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，如图XX_01(a)所示，因此即使v_GS=0时，在这些正离子产生的电场的作用下，漏源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压v_DS，就有电流i_D。如果加上正的v_GS，栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟道加宽，沟道电阻变小，i_D增大。反之v_GS为负时，沟道中感应的电子减少，沟道变窄，沟道电阻变大，i_D减小。当v_GS负向增加到某一数值时，导电沟道消失，i_D趋于零，管子截止，故称为耗尽型。沟道消失时的栅源电压称为夹断电压，仍用V_P表示。与N沟道耗尽型MOS管相同，N沟道耗尽型MOS管的夹断电压也为负值，但是，前者只能在v_GS<0的情况下工作。而后者在v_GS=0，v_GS>0，V_P<v_GS<0的情况下均能实现对i_D的控制，而且仍能保持栅源极产有很大的绝缘电阻，即栅极电流为零。这是耗尽型MOS管的一个重要特点。

图XX_01(b)、(c)分别是N沟道和P沟道耗尽型MOS管的代表符号。

在饱和区内，耗尽型MOS管的电流方程与结型场效应管的电流方程相同，即

上面以N沟道MOS管为例，讨论了它的工作原理、特性及参数。这些分析也基本上适用于P沟道MOSFET，但由于后者工作的载流子是空穴，故衬底材料及各电极电源极性都要改变。为帮助读者学习，将各类FET的特性列于表XX_01中。