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ETCH 蚀刻 在集成电路的制程中，常需要将整个电路图案定义出来，其制造程序 通常是先长出或盖上一层所需要之薄膜，再利用微影技术在这层薄膜上，以光阻 定义出所欲制造之电路图案，再利用化学或物理方式将不需要之部分去除，此种 去除步骤便称为蚀刻（ETCH）一般蚀刻可分为湿性蚀刻（WET ETCH）及干性蚀刻 （DRY ETCH）两种。所谓干性蚀刻乃是利用化学品（通常是盐酸）与所欲蚀刻之 薄膜起化学反应，产生气体或可溶性生成物，达到图案定义之目的。而所谓干蚀 刻，则是利用干蚀刻机台产生电浆，将所欲蚀刻之薄膜反映产生气体由PUMP抽走 ，达到图案定义之目的。 ISOTROPIC ETCHING 等向性蚀刻 在蚀刻反应中，除了纵向反应发生外，横向反应 亦同时发生，此总蚀刻即称之为等向性蚀刻。一般化学湿蚀刻多发生此种现象。 干式蚀刻，其实刻后的横截面具有异向性蚀刻特性（Anisotropic），即可得到较 陡的图形。 性离子蚀刻，通常电浆蚀刻使用较高之压力（大于200mT）及较小之RF功率，当芯 片浸在电浆之中，暴露在电将之表面层原子或分子与电浆中之活性原子接触并发 生反应形成气态生成物而离开晶面造成蚀刻，此类蚀刻即称之为电浆蚀刻。所谓 电浆极为气体分子在一电场中被游离成离子（正、负电荷）、电子及中性基 （Radical）等，在纯化学反应中，吾人取中性基为蚀刻因子，在R.I.E时，取活 性离子作为中性因子。 REACTIVE ION ETCHING（R.I.E.） 活性离子蚀刻 1. 定义：在电浆蚀刻时，电浆里包含了活性原子、活性离子（正离子）及电子，当压力较低（小于100mT）且气体两端所加之电压够高时，活性离子即被迅速加速冲向电极上之芯片，而撞击晶面上暴露在电浆中的表层，将表层之原子击出，再与活性原子反应因而造成蚀刻，此类之蚀刻即称之为活性离子蚀刻。目前我们已有的R.I.E蚀刻机台为8110、8130、8330等。 UNDERCUT 底切度 1. 定义：所谓“底切度”（Undercut），乃是蚀刻时的专用术语，简单的说，Undercut便是原来所定义出来的图形间偏离度的大小。对于等向性蚀刻（Isotropic Etching）Undercut较大，而对于完全非等向性蚀刻（Full Anisotropic Etching），其Undercut等于零，亦即能忠实地将原图形复制出来。 B.O.E 缓冲蚀刻液 BOE是HF与NH4F依不同比例混合而成。6:1 BOE蚀刻即表示HF：NH4F=1：6的成分混合而成。HF为主要的蚀刻液，NH4F则作为缓冲剂使用。利用NH4F固定〔H＋〕的浓度，使之保持一定的蚀刻率。HF会浸蚀玻璃及任何含硅石的物质，对皮肤有强烈的腐蚀性，不小心被溅到，应用大量水冲洗。 DESCUM 电浆预处理 1.电浆预处理，系利用电浆方式（Plasma），将芯片表面之光阻加以去除，但其去光阻的时间，较一般电浆光阻去除（Stripping）为短。其目的只是在于将芯片表面之光阻因显影预烤等制程所造成之光阻毛边或细屑（Scum）加以去除，以使图形不失真，蚀刻出来之图案不会有残余。2. 有关电浆去除光阻之原理，请参阅「电浆光阻去除」（Ashing）。3. 通常作电浆预处理，均以较低之力，及小之功率为之，也就是使光阻之蚀刻率降低得很低，使得均匀度能提高，以保持完整的图形，达到电浆预处理的目的。 ASHING，STRIPPING 电浆光阻去除 1. 电浆预处理，系利用电浆方式（Plasma），将芯片表面之光阻加以去除。2. 电浆光阻去除的原理，系利用氧气在电浆中所产生只自由基（Radical）与光阻（高分子的有机物）发生作用，产生挥发性的气体，再由pump抽走，达到光阻去除的目的。3. 电浆光阻的产生速率通常较酸液光阻去除为慢，但是若产品经过离子植入或电浆蚀刻后，表面之光阻或发生碳化或石墨化等化学作用，整个表面之光阻均已变质，若以硫酸吃光阻，无法将表面已变质之光阻加以去除，故均必须先以电浆光阻去除之方式来做。 END POINT DETECTOR 终点侦测器 在电浆蚀刻中，利用其反应特性，特别设计用以侦测反应何时完成的一种装置。一般终点侦测可分为下列三种：A.雷射终点侦测器（Laser Endpoint Detector）： 利用雷射光入射反应物（即芯片）表 面，当时颗发生时，反应层之厚度会逐渐减少，因而反射光会有干扰讯号产生，当蚀刻完成时，所接收之讯号亦已停止变化，即可测得终点。B.激发光终点侦测器（Optical Emission End Point Detector） 用一光谱接受器，接受蚀刻反应中某一反应副产物（Byproduct）所激发之光谱，当蚀刻反应逐渐完成，此副产物减少，光谱也渐渐变弱，即可侦测得其终点。C.时间侦测器：直接设定反应时间，当时间终了，即结束其反应。 REWORK/SCRAP/WAIVE 修改 /报废/签过 修改：分ADI修改，AEI修改ADI修改：将光阻去除，重新上新光阻，以定义新的或精确的图形。AEI修改：将已沉积或氧化的厚层或薄层去除，重新沉积或氧化。报废：芯片受污染或流程不合规范上之规定，造成芯片有无良率之可能，则停止流程不继续生产谓之。签过：当芯片流程至某步骤时，发现图形或规格不合于规范内之规定，但其影响不致使芯片达报废之程度，可由工程师签署，继续流程。 SCRUBBER 刷洗机 1. 在沉积或蚀刻制程之后常会有些微尘落在芯片表面，此种微尘可刷洗去除，避免对良率的伤害。2. 依照膜的性质，及机台的特性不同，通常我们有下列5种不同刷洗方式：- 去离子水冲洗- 毛刷刷洗- 高压水刷洗- 毛刷加高压水刷洗- 芯片双面刷洗 SELECTIVITY 选择比 1. 定义：两种材料，分别以相同的酸液或电浆作蚀刻，其两种蚀刻率之比值。例如多晶电浆蚀刻：对多晶之蚀刻率为2000埃/min，对氧化层之蚀刻率为200埃/min，则复晶对氧化层之选择性：SS=2000埃/min/200埃/min=10，选择比越高表示蚀刻特性越好。一般干蚀刻选择性较化学湿蚀刻差，取较高的选择性之目的即在于电浆蚀刻专心蚀刻该蚀刻之氧化层，而不会伤到上层光阻或下层氧化层，以确保蚀刻之完整性。 TOX（THICKNESS OF OXIDE）氧化层厚度。通常于氮化硅蚀刻、复晶及接触窗蚀刻完，均需作TOX之测量。藉以确认该层次蚀刻完是否有过蚀刻或蚀刻不足之现象 4M ，即设备、材料、人、方法。操作员(Man),机械设备(Machine),原材料(Material),作业方法(Metod) UNIFORMITY 均匀度 1. 定义：均匀度Uniformity是一种测量值的平均分布。藉以表示芯片内各测量点的数值或是芯片与芯片间其测量值的变化。在IC制程中，常用以表示薄膜厚度，线宽（C.D）在整片芯片内或芯片间的分布。其表示方法如下：如测量芯片内上中下左右5点数据，5点平均值。Ｘ＝X1＋X2+X3+X4+X5/5均匀度Uniformity＝X m a x－X m 1m/2X×100﹪例如测量T0x厚度共五点分布如下：510、525、540、515、520?则均匀度＝540-510/2×522（平均值）×100﹪＝2.8﹪均匀度越小，表示各点变化越小。亦即表示芯片制程品质较佳，也是制程能力越好的表现 何种气体为Poly ETCH主要使用气体? 蚀刻机台使用的电源为多少伏特(v)?
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