昨天对自己笔记本内存进行了超频,电脑为神舟承运W300A,原配内存为STAREX DDR333内存.最后我把它直接刷写了SPD,刷成了DDR400,使用工具是SPDtool.

SPDtool是通过修改SPD内所记录的参数,可以实现一劳永逸，可修改的地方很多，缺点是风险比较大，操作相当复杂。

参考文章为http://acerbbs.zol.com.cn/22/218_211232.html

在这里,首先申明内存超频有一定的风险,大家一定小心.

内存工作原理:

开机时BIOS直接读取SPD取得内存的相关资料,包括内存颗粒的类型及模组厂商、工作频率、工作电压、速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数，便于电脑启动时内存有一个最基本的参考工作标准,然后按照SPD的信息设定内存工作频率.

那么我们实际上的超频就是修改SPD内所记录的参数，让电脑按照我们修改后的参数运行内存。修改SPD参数有2种方法，一种是从主板的BIOS设定内存运行的参数，显然我们的笔记本不可能有这些可调节的参数(笔记本bios可以设定的东西太少了),那么我们只能用软件来修改参数，具体的修改有2种方式，一种是刷写SPD内的内容，即直接把我们需要的参数写入到SPD中去，覆盖掉原有的参数设置(可以使用软件SPDtool)；还有一种就是软调节，利用软件修改内存的运行参数，重启电脑后所有的设置归零(可以使用软件MEMset)。我使用的方法是第一种,,刷写SPD,我觉得第二种方法不适合与我,用了效果也没有.

好了,大家请下好SPDtool这个软件,我这里提供一个0.62中文版www.greendown.cn/soft/8591.html

这里我们要修改的是

1、CL（CAS Latency）
　　中文名称为“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”，在BIOS中的选项可能为：2、2.5和 3。随着DFI NF4主板的出现，还增加了1.5这个极限选项。这个参数很重要，内存条铭牌上一般都有推荐参数。较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。反过来，如果内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高稳定性。

　　2、tRCD（RAS-to-CAS Delay）
　　中文为“行寻址至列寻址延迟时间”，一般选项有2、3、4、5，别名有Active to CMD等。对于延迟时间，当然是数值越小，性能越好。
　　
　　3、tRP（RAS Precharge Time）
　　“内存行地址控制器预充电时间”一般只有2、3、4三个选项。这个参数的名称也比较多，一般有RAS Precharge、Precharge to active几种。tRP值越低，预充电参数越小，则内存读写速度就越快。

　　4、tRAS（RAS Active Time）
　　“内存行有效至预充电的最短周期”nForce系列主板对它的调节幅度最大，从 1到15都可选择。别名也是最多的： Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等等。调整这个参数需要结合具体情况而定，推荐参数选项有5，6或者7这3个。大多数情况还要结合主板和CPU情况，并不是说越大或越小就越好。

这四个参数也就是我们常说的内存时序表.常见内存时序表为

内存内型        CL-tRCD-tRP-tRAS

DDR266/333/400       2-2-2-6/2.5-3-3-7/3-3-3-8

DDR2的大家可以自己查阅.

根据大家具体情况,大家到baidu上查阅内存时序的具体值进行修改.

下面开始修改(我的ddr333的条子修改为ddr400后的值)

1,第一处是：SDRAM Cycle time at Maximum Supported CAS Latency（内存支持的最大CAS潜伏周期,也就是支持的最大频率,这个很重要）,我的为5.00ns（200MHz）

2,然后是CAS Latencies Supportde这个是内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间,我的为2,3,4

3, tRCD,这个是个多少ns,我的为15.00ns

4,tRP,这个也是个多少ns.我的为15.00ns

5,tRAS,这个也是个多少ns.我的为40ns

上面5步是修改内存的时序表,CL-tRCD-tRP-tRAS,

通过上面的修改ddr333修改为了ddr400的时序表3-3-3-8

根据各自需要,大家具体解决参数修改问题,我给的参考文章是DDR II667超频到DDR II800.

他修改的为(SDRAM Cycle time at Maximum Supported CAS Latency（内存支持的最大CAS潜伏周期），这里的值是：3.00ns（333MHz），我们改为：2.50ns（400MHz）；接下来改 Minimum Clock Cycle at CLX-1（最小CAS潜伏周期1）和Minimum Clock Cycle at CLX-2（最小CAS潜伏周期2），把3.75ns（267MHz）和5.00ns（200MHz）分别改为3.00ns（333MHz）和 3.75ns（267MHz），现在完成一半了，下面我们把DDR800默认的时序改为5-5-5-18-24（TRAS和TRC不用改动），向下找到 Minimum Row Precharge Time（tRP）和Minimum RAS to CAS delay（tRCD），把15.00ns都改为12.50ns，)

还有就是可能需要修改下面两项

6,Minimum Clock Cycle at CLX-1（最小CAS潜伏周期1）

7,Minimum Clock Cycle at CLX-2（最小CAS潜伏周期2）

这两个值我的内存条都没有具体值,我就没有管它.还有就是,修改好后写入内存spd,马上可以用cpu-z看内存信息,比如时序表.看看是否修改成功,没成功再重先修改写入继续用cpu-z看内存信息.直到达到需要的结果

最后就是重启,看看电脑死机没有,打开cpu-z看看是不是超上去了.到此,超频成功.

这是我修改后的结果