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本译文最后更新于11月1日,谢绝转载。 1. 概述 利用化学气相沉积(CVD)工艺来生长高品级单晶金刚石,这一进展使金刚石合成突破了传统意义上人工高温高压合成以及天然金刚石生长的限制,且人工生长的纯净金刚石可能在量子计算、发电、分子成像甚至于纳米金刚石机器人领域获得应用。 2. CVD:金刚石市场增长的一个新阶段 CVD金刚石代表着金刚石业发展中第三阶段(也是最近的阶段)的开始。CVD金刚石的早期实验开始于上世纪70年代,不过这一优秀材料直至近期才真正实现商业化供应。鉴于其正处于第三阶段的初期,金刚石必将是一种颇具发展前景并且发展最为持久的材料。它将像硅、钢材以及混凝土等工业基础材料那样无处不在并发挥重要作用。在今后50-100年间,金刚石市场将呈指数增长,金刚石也将被广泛应用到我们生活中的方方面面。 CVD意指化学气相沉积,通过该工艺可以将一些气体组分在基体上沉积生长为较大尺寸的金刚石材料或者晶体。CVD金刚石其他一些有趣特点在于它的性质可根据需要进行调节,比如可以让材料带有或者不含杂质,另外还可以改变晶体结构。目前已经可以实现生长各种形状的单晶以及多晶结构CVD金刚石。 CVD金刚石性质的可调节性以及金刚石材料的大尺寸生长是化学气相沉积生长技术的主要优势。该工艺特性使金刚石材料在此前受限于晶体尺寸、缺陷以及稳定性的其他工业领域内颇有吸引力。 目前,使用化学气相沉积技术来生长金刚石晶体尚未发展成熟,不过它已步入到商业化供应阶段,而且CVD金刚石晶体的生产正在快速发展。当前,传统领域(诸如切削刀具以及宝石方面)对金刚石的需求超过全球CVD金刚石的产能,且这一需求在未来依然呈现强势的爆炸性增长。化学气相沉积技术还使得金刚石材料在此前无法实现的一些高端应用方面大显身手。近期CVD金刚石应用研究的突破性进展沿袭了此前硅材料的增长模式,并已在包括量子计算以及太阳能面板在内的下一代技术应用中看见曙光。在今后25年,金刚石材料将发展到无处不在的地步。 3. CVD工艺和材料 设备和工艺 当这一工艺被用来生长单晶金刚石材料时,所需投入的材料包括气态碳氢化合物以及金刚石晶种。在这里所用的晶种是一薄层单晶金刚石。对于所有的单晶金刚石生长来说,晶种都是生长初期所必要的。 当气体被输送到真空室,并被加热到大约是太阳外围区域的温度时,气态烃开始分解,碳原子也因此开始在金刚石晶种上面沉积生长。通过调节生长工艺,金刚石形状以及晶体特性可以在一定程度上实现人为调整。这一点很重要,因为你可以操控化学气相沉积工艺,且能够为了实现特定的应用而赋予金刚石材料某些特定的性质。为了进一步调整金刚石的性质,可在沉积过程中有选择性地控制添加含有硼、氮或磷等元素的气体。 生长和加工 这些生长出的CVD金刚石材料可利用传统的半导体处理技术进行进一步的后期加工。加工工艺不仅包括更为传统的激光切割和抛光技术,还包括先进的蚀刻、注入以及光刻等技术。早期用于半导体领域的许多加工技术可以直接用于加工金刚石材料。(全文篇幅较长,将分作两节分别编译。预计第二节将在11月6日更新。) |